総合理工学部物理工学科影島博之教授らの研究グループの、シリコン・トランジスタ上での電子正孔共存系の形成成功に関する研究成果についてプレスリリースしました

公開日 2023年11月10日

 総合理工学部物理工学科影島博之教授と静岡大学電子工学研究所堀匡寛准教授・小野行徳教授の研究グループは、電気的に制御することによってシリコン・トランジスタ上に電子正孔共存系を形成することに成功しました。本成果は、英国科学誌「Communications Physics(コミュニケーションズ・フィジックス)」に掲載されました。

 本研究成果について、10月31日にプレスリリースを行いました。
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シリコン・トランジスタ上で電子正孔共存系の形成に成功[PDF:455KB]

 

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