葉 文昌教授、白川俊樹さん（論文掲載時 自然科学研究科 博士前期課程学生）、Anh Hoang Pham准教授(現材料エネルギー学部)、が応用物理学会優秀論文賞を受賞しました。応用物理学会春季学術講演会において、2024年3月23日に受賞記念講演を行う予定です。
　優秀論文賞は応用物理学会が発行する学術論文誌Applied Physics Express (APEX)とJapanese Journal of Applied Physics (JJAP)の中(年間掲載数1500件前後)から、応用物理学の進歩向上に寄与する優秀な原著論文より選定し、その著者を表彰するものです。今年は8件が受賞しました。応用物理学会誌が公表した受賞理由は下記の通りです。
　「レーザー結晶化による多結晶シリコン薄膜形成は，1980 年代から薄膜トランジスタや SRAM の 3 次元集積化応用などに向けて連綿と研究がなされてきた．2010 年代に結晶粒の面方位 3 軸制御の可能性が示され，その結晶成長の安定性の研究が望まれていた．本論文では独自のレーザー結晶化光学系を用いることで一筆書きにシリコン薄膜の連続結晶化を行い，Si{001} 〈100〉結晶粒の結晶成長安定性を実験的に示し，実験と結晶学的解析から準安定面・不安定面の抽出に成功している．本論文はシリコン薄膜の結晶成長に関するものであるが，一般的な薄膜結晶成長の理解への貢献など学術的価値が高い．また応用面でも多結晶シリコン薄膜トランジスタや SOI（Silicon-On-Insulator）デバイスの進展に寄与するものである．」

応用物理学会論文賞受賞者：https://www.jsap.or.jp/outstanding-paper-award/recipients45
優秀論文賞受賞記念講演：https://pub.confit.atlas.jp/ja/event/jsap2024s/presentation/23p-12K-1

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